特許

J-GLOBAL ID：201403047099802547

発光ダイオード素子

発明者： 春田 由季
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (6件)： 川口 嘉之 ,  高田 大輔 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司 ,  香坂 薫 ,  下田 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-268712
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053580
出願日： 2012年12月07日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：

【課題】発光効率に優れ、白色LED用の励起光源に適したGaN系発光ダイオード素子を提供することを目的とする。【解決手段】GaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に部分的に形成されたn側電極とを有し、該n側電極は、ボンディングワイヤが接続される接続部と、電流を横方向に拡げるための延長部と、を有するn側パッド電極を含み、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に部分的に形成されたn側電極とを有し、 該n側電極は、ボンディングワイヤが接続される接続部と、電流を横方向に拡げるための延長部と、を有するn側パッド電極を含み、 当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である、GaN系発光ダイオード素子。

IPC (2件)：

H01L 33/38 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/00 210 ,  H01L33/00 186

Fターム (11件)：

5F141AA03 ,  5F141AA21 ,  5F141AA33 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F141CA88 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-297191   出願人：国立大学法人東北大学, 学校法人早稲田大学
• 窒化物系半導体発光素子、および窒化物系半導体発光素子を作製する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-100930   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-280102   出願人：昭和電工株式会社