記憶装置、半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-047616
公開番号（公開出願番号）：特開2014-199709
出願日： 2014年03月11日
公開日（公表日）： 2014年10月23日
要約：

【課題】トランジスタのゲートリークにより保持容量に保持されたデータを十分な時間にわたり保持することが困難になってきている。【解決手段】Siトランジスタで構成された第1の記憶回路と、Siトランジスタで構成された選択回路と、OSトランジスタと保持容量とによって構成された第2の記憶回路と、を有し、第2の記憶回路は、直列に接続している2つのOSトランジスタの接続部に保持容量の片側の端子を接続する構成とし、第2の記憶回路の出力が選択回路の第2の入力端子に接続され、第2の記憶回路の入力は、選択回路の第1の入力端子又は第1の記憶回路の出力端子に接続されている構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、保持容量と、選択回路と、記憶回路と、を有し、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記保持容量の一方の端子及び前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記選択回路の第1の入力端子に電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記選択回路の第2の入力端子に電気的に接続され、前記選択回路の出力端子は、前記記憶回路の入力端子に電気的に接続され、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有することを特徴とする記憶装置。

IPC (13件)：

G11C 11/405 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/10 , H03K 3/037 , C30B 29/22

FI (12件)：

G11C11/34 352B , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L27/08 102H , H01L27/06 102A , H01L27/04 C , H01L27/10 321 , H01L27/10 461 , H03K3/037 B , C30B29/22 Z

Fターム (143件)：

4G077AA03 , 4G077AB08 , 4G077BC60 , 4G077DA14 , 4G077EA02 , 4G077EA07 , 4G077EC05 , 4G077HA06 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE05 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG08 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038EZ01 , 5F038EZ02 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AB05 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048CB01 , 5F048DA24 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083AD69 , 5F083GA06 , 5F083GA27 , 5F083HA06 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA44 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083ZA04 , 5F083ZA13 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110BB06 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ02 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5J043JJ08 , 5J043PP01 , 5M024AA94 , 5M024BB02 , 5M024CC02 , 5M024CC07 , 5M024HH01 , 5M024PP01 , 5M024PP02 , 5M024PP07

引用特許：

審査官引用 (5件)

記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-062930 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
不揮発性のラッチ回路及び論理回路並びにそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-255517 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
RFIDタグ
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-000902 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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