半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-044499
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175360
出願日： 2013年03月06日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】電気特性の安定したトランジスタなどを提供する。【解決手段】酸化物を有する基板を準備し、基板に電磁波を照射し、基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製する。または、基板を準備し、基板上に酸化物絶縁膜を形成し、基板および酸化物絶縁膜に電磁波を照射し、基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製する。または、酸化物を有する基板を準備し、基板上に酸化物絶縁膜を形成し、基板および酸化物絶縁膜に電磁波を照射し、基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

酸化物を有する基板を準備し、前記基板に電磁波を照射し、前記基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L29/78 627Z

Fターム (64件)：

5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD08 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK42 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置並びに薄膜トランジスタアレイの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-215061 出願人：凸版印刷株式会社
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-159563 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-149650 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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