半導体装置及びその作製方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-159563
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049516
出願日： 2011年07月21日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、ノーマリーオフの特性を有し、かつ電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】基板に第1の熱処理を行い、次に基板上に下地絶縁層を形成し、次に下地絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、第1の熱処理から酸化物半導体層の形成までを大気に暴露せずに行う。次に、酸化物半導体層を成膜した後、第2の熱処理を行う。下地絶縁層には、加熱により酸素を放出する絶縁層を用いる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた下地絶縁層と、前記下地絶縁層上に設けられた酸化物半導体層とを有し、前記基板及び前記下地絶縁層の界面における水素濃度が1.1×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (8件)：

H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L29/78 627B , H01L29/78 618A , H01L29/78 627F , H01L21/316 Y , H01L21/316 P , H01L21/318 C

Fターム (71件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF14 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BJ10 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-195539 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-066069 出願人：富士フイルム株式会社
酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-328736 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る