特許

J-GLOBAL ID：201303089851871178

半導体装置およびその作製方法

発明者： 遠藤 佑太 ,  肥塚 純一 ,  佐藤 優一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-149650
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038396
出願日： 2012年07月03日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板と、該絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、該酸化物半導体膜にチャネルが形成されるトランジスタを有する半導体装置である。加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板は、絶縁体基板の少なくとも酸化物半導体膜が設けられる側に、酸素イオン注入を行うことで作製することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

昇温脱離ガス分光法により質量電荷比32が検出される絶縁体基板と、 前記絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と少なくとも一部が接して設けられた一対の電極と、 前記酸化物半導体膜および前記一対の電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、を有し、 前記質量電荷比32で検出されるガスの放出量は、酸素原子に換算すると3.0×10-14atoms/cm2以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 671C ,  H01L29/78 371 ,  G02F1/1368

Fターム (116件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA32 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JB67 ,  2H092JB79 ,  2H092KA08 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA25 ,  2H092MA41 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092PA01 ,  5F083AD02 ,  5F083EP02 ,  5F083EP30 ,  5F083ER01 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083JA60 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB10 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD06 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217272   出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-122756   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-255737   出願人：カシオ計算機株式会社
• 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-313579   出願人：キヤノン株式会社
• 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-139532   出願人：キヤノン株式会社