特許

J-GLOBAL ID：201403048470139224

磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者： 加 藤 侑 志 ,  大 坊 忠 臣 ,  北 川 英 二 ,  落 合 隆 夫 ,  窪 田 崇 秀 ,  水 上 成 美 ,  宮▲崎▼照 宣
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-208293
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063886
出願日： 2012年09月21日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
要約：

【課題】低飽和磁化かつ高垂直磁気異方性を有する磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を備え、前記第1磁性層は、MnxGey(77atm%≦x≦82atm%、18atm%≦y≦23atm%、x+y=100atm%)を含む磁性膜を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、 第2磁性層と、 前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、 を備え、 前記第1磁性層は、MnxGey(77atm%≦x≦82atm%、18atm%≦y≦23atm%、x+y=100atm%)を含む磁性膜を備えていることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (8件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/30

FI (7件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/12 ,  H01F10/32 ,  H01F10/30

Fターム (47件)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ15 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049BA11 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA02 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BE02 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭57-039151
  
• 強磁性材料、磁気抵抗素子および電子機能素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-361232   出願人：日立金属株式会社
• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-022105   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-084939   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-210251
  
• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-236542   出願人：株式会社東芝