磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (22件)：鈴江武彦 , 蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 勝村紘 , 橋本良郎 , 風間鉄也 , 河井将次 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-084939
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239121
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】高TMR比及び低電流でのスピン注入磁化反転を可能とする。【解決手段】本発明の例に係る磁気抵抗効果素子は、下地層11/第1の磁性層12/トンネルバリア層13/第2の磁性層14のスタック構造を有する。第1及び第2の磁性層12,14の残留磁化は、それらの膜面に垂直な方向を向き、第1及び第2の磁性層12,14のうちの一方は、磁化方向が不変で、その他方は、磁化方向が可変であり、第1の磁性層12は、Co、Fe、Niの第1のグループから選ばれる1つ以上の元素と、Cu、Ag、Au、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Osの第2のグループから選ばれる1つ以上の元素とから構成される強磁性体金属であり、下地層11は、Al、Ni、Co、Fe、Mn、Cr、Vの第3のグループから選ばれる1つの元素を含む金属、又は、前記第3のグループから選ばれる2つ以上の元素を含む金属である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地層と、前記下地層上の第1の磁性層と、前記第1の磁性層上のトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層上の第2の磁性層とを具備し、前記第1の磁性層の残留磁化は、前記第2の磁性層側又はその反対側を向き、前記第2の磁性層の残留磁化は、前記第1の磁性層側又はその反対側を向き、前記第1及び第2の磁性層のうちの一方は、磁化方向が不変で、その他方は、磁化方向が可変であり、前記第1の磁性層は、Co、Fe、Niの第1のグループから選ばれる1つ以上の元素と、Cu、Ag、Au、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Osの第2のグループから選ばれる1つ以上の元素とから構成される強磁性体金属であり、前記下地層は、Al、Ni、Co、Fe、Mn、Cr、Vの第3のグループから選ばれる1つ以上の元素を含む金属であり、前記トンネルバリア層の下地が前記第1の磁性層であり、前記下地層及び前記第1の磁性層の構成元素、組成比及び厚さにより、前記第1の磁性層の表面電位が中性化されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , G11B 5/39

FI (7件)：

H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01F10/16 , H01F10/32 , G11B5/39

Fターム (43件)：

4M119AA03 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD03 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5D034CA08 , 5E049AA04 , 5E049BA25 , 5F092AA02 , 5F092AA04 , 5F092AB02 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE21

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,256,223号明細書

審査官引用 (3件)

磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-044176 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-172845 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-210197 出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所

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