特許
J-GLOBAL ID：201403048615381630

受光デバイス、その製造方法、およびセンシング装置

発明者：
猪口 康博

猪口 康博 について

, 
永井 陽一

永井 陽一 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 特許業務法人ハートクラスタ ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-004879
公開番号（公開出願番号）：特開2014-138036
出願日： 2013年01月15日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
要約：
【課題】低い作動電圧で暗電流を小さくした上で、狭ピッチ化、製造能率向上等が可能な受光デバイス等を提供する。【解決手段】タイプIIの多重量子井戸構造の受光層と、受光層上に位置し、画素ごとに電極が配置される不純物を含むキャップ層とを備え、メサ構造の溝は、画素ごとに該画素の領域を取り囲むように、受光層の上端近傍まで到達しており、pn接合は、溝によって取り囲まれた画素ごとのキャップ層から連続する不純物の領域の先端として、画素ごとに分離されて受光層内、または受光層と当該受光層の上層との界面、に位置していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
pn接合を含む画素がメサ構造によって配列された受光デバイスであって、 タイプIIの多重量子井戸構造の受光層と、 前記受光層上に位置し、前記画素ごとに電極が配置される不純物を含むキャップ層とを備え、 前記メサ構造の溝は、前記画素ごとに該画素の領域を取り囲むように、前記受光層の上端近傍まで到達しており、 前記pn接合は、前記溝によって取り囲まれた画素ごとのキャップ層から連続する前記不純物の領域の先端として、前記画素ごとに分離されて前記受光層内、または前記受光層と当該受光層の上層との界面、に位置していることを特徴とする、受光デバイス。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 F
Fターム (30件)：
4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NA08 ,  5F049NB05 ,  5F049PA04 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049PA18 ,  5F049QA02 ,  5F049QA06 ,  5F049QA16 ,  5F049RA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ12 ,  5F049WA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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