特許
J-GLOBAL ID：201403048769656004
1チップ2光源の発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 朔生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-138196
公開番号（公開出願番号）：特開2014-204118
出願日： 2013年07月01日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：
【課題】第1エピ層と、少なくとも一つの基板と、一つの第2エピ層と、を備える1チップ2光源の発光素子を提供する。【解決手段】第1エピ層12はn型導電構造を有する第1n型半導体層123と、複数の量子井戸構造を有する第1発光層122と、p型導電構造を有する第1p型半導体層121と、を含む。基板11は第1エピ層の一側に設けられている。第2エピ層15は第1エピ層の位置に対応して基板の他側に設けられ、n型導電構造を有する第2n型半導体層153と、複数の量子井戸構造を有する第2発光層152と、p型導電構造を有する第2p型半導体層151と、を含む。第1エピ層と、第2エピ層とを介して、それぞれ制御し単色または2色の光源を出射することができる。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
1チップ2光源の発光素子であって、
n型導電構造を有する第1n型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第1発光層と、p型導電構造を有する第1p型半導体層と、を含み、第1光源を出射する第1エピ層と、
前記第1エピ層の一側に取り付ける少なくとも一つの基板と、
前記第1エピ層に対応して、前記基板の他側に設けられ、n型導電構造を有する第2n型半導体層と、複数の量子井戸構造を有する第2発光層と、p型導電構造を有する前記第2p型半導体層と、を含み、第2光源を出射する第2エピ層と、を備えることを特徴とする、
1チップ2光源の発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/02
, H01L 29/06
, H01L 33/48
H01L33/00 100
, H01L29/06 601W
, H01L33/00 400
5F141AA07
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CB15
, 5F141FF11
, 5F142AA13
, 5F142BA32
, 5F142CA01
, 5F142CA11
, 5F142CB01
, 5F142CB03
, 5F142CB15
, 5F142CD13
, 5F142CD16
, 5F142CF02
, 5F142DA02
, 5F142DA14
, 5F142DA73
