発光ダイオード及び半導体発光装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-390882
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158795
出願日： 2003年11月20日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】色むらを抑えた発光色を得ることができる発光ダイオード及び半導体発光装置を提供する。【解決手段】発光ダイオード1は、半導体積層部6と、光反射層17及び19と、光反射膜25と、蛍光板27とを備える。半導体積層部6は、基板7上に、n型クラッド層9、活性層11、p型クラッド層13、及びp型コンタクト層15が順次積層されてなる。光反射層17及び19は、それぞれp型コンタクト層15上及び基板7の裏面7b上に設けられる。光反射膜25は、半導体積層部6の3つの側面上に設けられる。蛍光板27は、半導体積層部6の側面のうち光反射膜25がない側面に取り付けられる。活性層11から出た青色光L1は、各光反射層において反射し、蛍光板27が設けられた側面に集められる。青色光L1の一部は蛍光板27において黄色光L2となり、青色光L1及び黄色光L2による白色光が出射される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなり、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に設けられ第1の波長帯の光を発生する活性層を有する半導体積層部と、前記第1導電型半導体層の前記活性層と対向する面とは反対側の面上に設けられた第1の光反射層と、前記第2導電型半導体層の前記活性層と対向する面とは反対側の面上に設けられた第2の光反射層と、前記半導体積層部の側面上に設けられ、前記第1の波長帯の光を受けて第2の波長帯の光を発生する蛍光体と、を備える、発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA14 , 5F041CA05 , 5F041CA14 , 5F041CA40 , 5F041EE21 , 5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (5件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-241449 出願人：日亜化学工業株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-306393 出願人：日亜化学工業株式会社
発光ダイオードの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-188745 出願人：日亜化学工業株式会社

全件表示

審査官引用 (10件)

窒化物系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-367882 出願人：シャープ株式会社
特開平2-091980
3族窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-338114 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩

全件表示

前のページに戻る