特許
J-GLOBAL ID:201403050689964276
光電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-210904
公開番号(公開出願番号):特開2014-067804
出願日: 2012年09月25日
公開日(公表日): 2014年04月17日
要約:
【課題】発電効率を向上させるとともに、簡易な製造工程で製造することができる光電変換素子を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板3と、半導体基板3の一方の表面上に設けられた第1導電型の第1の半導体膜8と、表面上に第1の半導体膜8から独立して設けられた第2導電型の第2の半導体膜13と、半導体基板3と第1の半導体膜8との間および/または半導体基板3と第2の半導体膜13との間に設けられた電体膜5,8と、を備え、第1の半導体膜8上および該第2の半導体膜13上に金属間化合物層15が形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面上に設けられた第1導電型の第1の半導体膜と、
前記表面上に前記第1の半導体膜から独立して設けられた第2導電型の第2の半導体膜と、
前記半導体基板と前記第1の半導体膜との間および/または前記半導体基板と前記第2の半導体膜との間に設けられた誘電体膜と、を備え、
前記第1の半導体膜上および前記第2の半導体膜上に金属間化合物層が形成されている、光電変換素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (7件):
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA05
, 5F151DA01
, 5F151DA07
, 5F151DA10
, 5F151DA20
引用特許:
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