特許
J-GLOBAL ID：201103075712340600
裏面コンタクト型太陽電池素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-209396
公開番号（公開出願番号）：特開2011-061020
出願日： 2009年09月10日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：
【課題】キャリアの再結合損失を抑制しながら接触抵抗を低減することができる裏面コンタクト方太陽電池素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】第1導電型不純物を第1の濃度で含むシリコン基板101と、このシリコン基板101の受光面102aとは反対側の非受光面102b上に形成された第1電極110および第2電極111とを備え、シリコン基板101はその非受光面102bの表層部の所定領域に、第1の濃度よりも高い第2の濃度で第1導電型不純物を含む第1導電型不純物領域104と、第2導電型不純物を含む第2導電型不純物領域105とを有し、第1電極110が第1導電型不純物領域104と接続すると共に、第2電極111が第2導電型不純物領域105と接続し、第1電極110と第1導電型不純物領域104との接触部に第1シリサイド層108が形成されていると共に、第2電極111と第2導電型不純物領域105との接触部に第2シリサイド層109が形成されていることを特徴とする裏面コンタクト型太陽電池素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型不純物を第1の濃度で含むシリコン基板と、このシリコン基板の受光面とは反対側の非受光面上に形成された第1電極および第2電極とを備え、
前記シリコン基板はその非受光面の表層部の所定領域に、前記第1の濃度よりも高い第2の濃度で第1導電型不純物を含む第1導電型不純物領域と、第2導電型不純物を含む第2導電型不純物領域とを有し、
前記第1電極が前記第1導電型不純物領域と接続すると共に、前記第2電極が前記第2導電型不純物領域と接続し、
前記第1電極と前記第1導電型不純物領域との接触部に第1シリサイド層が形成されていると共に、前記第2電極と前記第2導電型不純物領域との接触部に第2シリサイド層が形成されていることを特徴とする裏面コンタクト型太陽電池素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F051AA02
, 5F051CB20
, 5F051FA06
, 5F051FA15
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051HA03
, 5F151AA02
, 5F151CB20
, 5F151FA06
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
