特許
J-GLOBAL ID：201403050980300083

発光装置及び電子機器

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
江口 晋吾

江口 晋吾 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-097200
公開番号（公開出願番号）：特開2014-197522
出願日： 2013年05月03日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：
【課題】信頼性の高い発光装置を提供する。外部から物理的な力が与えられた際に、素子が破壊されることを抑制する。または、FPCを圧着する工程において、フレキシブル基板に接する樹脂や配線が熱によるダメージを受けることを抑制する。【解決手段】有機EL素子を含むフレキシブルな発光装置における、変形に対して応力歪みが発生しない中立面が、トランジスタ及び有機EL素子の双方の近傍に位置する構成とする。または、発光装置の最表面の硬さが硬い構成とする。または、FPCと接続する端子部と重なる基板に熱膨張率が10ppm/K以下の基板を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の可撓性基板の一方の面及び第2の可撓性基板の一方の面の間に、 平坦化層と、 前記平坦化層の一方の面側に設けられたトランジスタと、 前記平坦化層の他方の面に接して設けられ、前記トランジスタと電気的に接続する第1の電極、前記第1の電極上の発光性の有機化合物を含む層、及び前記発光性の有機化合物を含む層上の第2の電極を有する発光素子と、 前記第1の可撓性基板及び前記第2の可撓性基板を接着する接着層と、を備え、 前記第1の可撓性基板の他方の面から前記平坦化層の他方の面までの厚さAは、前記平坦化層の他方の面から前記第2の可撓性基板の他方の面までの厚さBの0.8倍以上1.2倍以下である発光装置。
IPC (7件)：
H05B 33/02 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/06 ,  H05B 33/22
FI (7件)：
H05B33/02 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04 ,  H05B33/12 E ,  H05B33/06 ,  H05B33/22 Z
Fターム (19件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC09 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107DD17 ,  3K107DD38 ,  3K107DD39 ,  3K107DD90 ,  3K107EE22 ,  3K107EE42 ,  3K107EE50 ,  3K107EE55 ,  3K107EE63 ,  3K107FF01 ,  3K107FF05 ,  3K107FF13 ,  3K107FF15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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