シリコン用鋳造装置およびシリコンの鋳造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-009490
公開番号（公開出願番号）：特開2014-141360
出願日： 2013年01月22日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：

【課題】生産性が高くインゴットの中央部と外縁との高さの差を低減することのできる、シリコン用鋳造装置およびシリコンの鋳造方法を提供すること。【解決手段】シリコン用鋳造装置は、複数の内壁面を有するとともにこれら複数の内壁面で囲まれた上部に開口を有する鋳型と、前記開口の周縁部に配置された、隣り合う前記内壁面同士の間の稜線部へ輻射熱を放射するための1以上の熱輻射体とを備えている。シリコンの鋳造方法は、複数の内壁面を有し、且つこれら複数の内壁面で囲まれた上部に開口を有する鋳型と、前記開口の周縁部に配置された、隣り合う前記内壁面同士の間の稜線部へ輻射熱を放射するための1以上の熱輻射体とを備えているシリコン用鋳造装置を準備する工程と、前記鋳型内にシリコンの融液が入っている状態にする工程と、前記熱輻射体に外部からの熱を吸収させて前記稜線部に位置している前記融液の表面に前記熱輻射体からの輻射熱を与えながら、前記融液を凝固させる工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の内壁面を有するとともにこれら複数の内壁面で囲まれた上部に開口を有する鋳型と、前記開口の周縁部に配置された、隣り合う前記内壁面同士の間の稜線部へ輻射熱を放射するための1以上の熱輻射体とを備えているシリコン用鋳造装置。

IPC (2件)：

C30B 29/06 , C30B 9/06

FI (2件)：

C30B29/06 D , C30B9/06

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CD04 , 4G077EA01 , 4G077EG19 , 4G077EG20 , 4G077EG26 , 4G077HA12 , 4G077HA20 , 4G077PE24

引用特許：

審査官引用 (5件)

結晶成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-114766 出願人：シャープ株式会社
鋳造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-425487 出願人：京セラ株式会社
化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-047783 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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