特許

J-GLOBAL ID：201403056087488684

焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法

発明者： 高橋 秀行
出願人/特許権者： JX日鉱日石金属株式会社
代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-162848
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029025
特許番号：特許第5634575号
出願日： 2013年08月06日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Te、Sb及びGeの元素を主成分とする焼結体ターゲットであって、下記(A)の元素、(B)の元素及び(C)から選択した元素の一種以上をさらに含有し、熱伝導率が2.5W/mK以上、酸素濃度が5000wtppm以上であることを特徴とする焼結体ターゲット。 (A)S、Seから選択したカルコゲナイド元素の一種以上 (B)Bi、As、P、Nから選択したVb族元素の一種以上 (C)Si、Cから選択したIVb族元素の一種以上

IPC (5件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  B22F 1/00 ( 200 6.01) ,  B22F 3/15 ( 200 6.01) ,  C22C 12/00 ( 200 6.01) ,  C22C 28/00 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C23C 14/34 A ,  B22F 1/00 R ,  B22F 3/15 G ,  C22C 12/00 ,  C22C 28/00 Z ,  C22C 28/00 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 耐スパッタ割れ性に優れた相変化型メモリー膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-120933   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 再生ターゲット材およびターゲット材の再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-187922   出願人：三井金属鉱業株式会社