特許
J-GLOBAL ID：201403056231503090
振動子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 永田 美佐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267814
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116707
出願日： 2012年12月07日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：
【課題】応力集中部位が削減され信頼性が良好で、電極間ショートが抑制された振動子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る振動子の製造方法は、基板上に、第1層を形成する工程(a)と、前記第1層の第1領域に第1不純物をイオン注入する工程(b)と、前記第1層をパターニングして、側面部にテーパー面を有する第1電極を形成する工程(c)と、前記第1電極上及び前記第1電極のテーパー面上に犠牲層を形成する工程(d)と、前記基板及び前記犠牲層上に前記第1電極上面部及び前記第1電極のテーパー面の少なくとも一部が対向配置されるように第2電極を形成する工程(e)と、前記犠牲層を除去する工程(f)と、を含み、前記工程(b)は、前記第1不純物の濃度が、前記第1電極の上面から10nmより深い位置において、上面側から下面側に向かって単調に減少するように行われる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1層を形成する工程(a)と、
前記第1層の第1領域に第1不純物をイオン注入する工程(b)と、
前記第1層をパターニングして、側面部にテーパー面を有する第1電極を形成する工程(c)と、
前記第1電極上及び前記第1電極のテーパー面上に犠牲層を形成する工程(d)と、
前記基板及び前記犠牲層上に前記第1電極上面部及び前記第1電極のテーパー面の少なくとも一部が対向配置されるように第2電極を形成する工程(e)と、
前記犠牲層を除去する工程(f)と、
を含み、
前記工程(b)は、前記第1不純物の濃度が、前記第1電極の上面から10nmより深い位置において、上面側から下面側に向かって単調に減少するように行われることを特徴とする振動子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
3C081AA01
, 3C081AA17
, 3C081BA30
, 3C081BA43
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081CA03
, 3C081CA14
, 3C081CA15
, 3C081CA26
, 3C081CA28
, 3C081CA29
, 3C081CA40
, 3C081DA02
, 3C081EA22
, 3C081EA41
, 5D107AA09
, 5D107CC10
, 5J108MM11
