特許
J-GLOBAL ID：201403056288018210
多結晶シリコン材料の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-113514
公開番号（公開出願番号）：特開2014-231464
出願日： 2013年05月29日
公開日（公表日）： 2014年12月11日
要約：
【課題】迅速かつ確実に多結晶シリコン塊を洗浄して効果的に微粉末や小片等を除去し、単結晶引き上げ時の単結晶化率に影響を与えるような不純物を含まない多結晶シリコンの製造を可能とする。【解決手段】多結晶シリコン材料の製造方法であって、多結晶シリコンロッド10を切断または破砕することにより分割して多結晶シリコン塊11を得る分割工程と、多結晶シリコン塊11をふるいにかけ、微粉末12を除去する微粉末除去工程と、微粉末12を除去された多結晶シリコン塊11を水洗する水洗工程とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多結晶シリコンロッドを切断または破砕することにより分割して多結晶シリコン塊を得る分割工程と、
前記多結晶シリコン塊をふるいにかけ、微粉末や小片を除去する微粉末除去工程と、
微粉末を除去された前記多結晶シリコン塊を水洗する水洗工程と、
水洗された前記多結晶シリコン塊を静置し、この多結晶シリコン塊の表面に付着した水滴を除去する水滴除去工程と
を有することを特徴とする多結晶シリコン材料の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 D
, C01B33/02 E
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB03
, 4G072BB12
, 4G072DD01
, 4G072GG03
, 4G072JJ16
, 4G072JJ18
, 4G072MM23
, 4G072MM24
, 4G072MM26
, 4G072MM28
, 4G072MM31
, 4G072MM40
, 4G072NN14
, 4G072UU01
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EC02
, 4G077EC10
, 4G077HA12
