特許
J-GLOBAL ID：201403056525822037
EUVマスクの欠陥評価方法及びEUVマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-204457
公開番号（公開出願番号）：特開2014-090163
出願日： 2013年09月30日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
要約：
【課題】EUVマスクのパターニング前に最適なパターンレイアウトを取得することにより、位相欠陥がある部分の修正作業を少なくすることでEUVマスク製造を効率化する。【解決手段】EUVマスクの欠陥評価方法は、EUVブランクに対して位相欠陥の位置情報及び輝度プロファイル情報を取得するステップと、位相欠陥の最表面を三次元計測するステップと、シミュレーションにより位相欠陥の内部状態を推測するステップと、吸収層パターンの下に位相欠陥が位置するパターンレイアウトを仮決めするステップと、仮決めしたパターンレイアウトについて、位相欠陥の三次元形状及び伝播パラメータを用いた露光シミュレーションを行うことにより転写パターンを算出するステップと、露光シミュレーションで算出した転写パターンの位相欠陥部分の評価を行うことによりパターンレイアウトを確定するステップと、EUVマスクの作成を行うステップと、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
EUVマスクの欠陥評価方法において、
多層膜が形成されたEUVブランクから、位相欠陥の位置情報及び位相欠陥の輝度プロファイル情報を取得するステップと、
前記位相欠陥の位置情報を元に、前記位相欠陥の最表面の三次元形状を計測するステップと、
シミュレーションを行うことにより、前記最表面の三次元形状と前記位相欠陥の輝度プロファイル情報から前記位相欠陥の内部状態を推測し、前記多層膜における前記位相欠陥の欠陥源の形状の前記最表面側への伝播状態を示す伝播パラメータを抽出するステップと、
前記吸収層パターンのレイアウトとして、前記吸収層パターンの下に前記位相欠陥が位置するパターンレイアウトを仮決めするステップと、
前記仮決めしたパターンレイアウトについて、前記位相欠陥の三次元形状及び前記伝播パラメータを用いた露光シミュレーションを行うことにより、前記吸収層パターンをウェハへ転写した転写パターンを算出するステップと、
前記露光シミュレーションで算出した前記転写パターンの前記位相欠陥部分の評価を行うことにより前記パターンレイアウトを確定するステップと、
前記確定したパターンレイアウトを用いてEUVマスクの作成を行うステップと、を有することを特徴とするEUVマスクの欠陥評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/24
, G03F 1/84
H01L21/30 531M
, G03F1/24
, G03F1/84
2H095BA10
, 2H095BB02
, 2H095BB27
, 2H095BB36
, 2H095BD04
, 2H095BD18
, 2H095BD26
, 5F146GD11
, 5F146GD13
, 5F146GD20
, 5F146GD22
