特許
J-GLOBAL ID：201403056865851813

マルチ荷電粒子ビーム描画装置

発明者：
東矢 高尚

東矢 高尚 について

, 
小笠原 宗博

小笠原 宗博 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-282716
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127569
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：
【目的】縮小率や収差の抑制を維持しながらワーキングディスタンスを大きくすることが可能な描画装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の描画装置100は、試料を載置する、移動可能なXYステージ105と、電子ビームを放出する電子銃201と、複数の開口部が形成され、複数の開口部全体が含まれる開口部形成領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材203と、マルチビームを縮小する縮小光学系(205,207)と、縮小光学系の後段に配置され、構成される倍率が1倍で磁束の向きが逆向きのダブレットレンズ(212,214)と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
試料を載置する、移動可能なステージと、 荷電粒子ビームを放出する放出部と、 複数の開口部が形成され、前記複数の開口部全体が含まれる開口部形成領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、 前記マルチビームを縮小する縮小光学系と、 前記縮小光学系の後段に配置され、倍率が1倍で磁束の向きが逆向きのダブレットレンズと、 を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (3件)：
H01L21/30 541B ,  H01L21/30 541W ,  G03F7/20 504
Fターム (11件)：
2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056AA07 ,  5F056BA08 ,  5F056CB29 ,  5F056CB31 ,  5F056CB35 ,  5F056CC02 ,  5F056EA04 ,  5F056EA05 ,  5F056EA08
引用特許：
審査官引用 (7件)
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