特許
J-GLOBAL ID：201203080091077978
荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-032792
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174750
出願日： 2011年02月18日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：
【課題】従来よりもさらに偏向精度を向上させることが可能な描画装置を提供する。【解決手段】描画装置100は描画対象となる基板の高さ方向分布を測定するZ測定部50と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を基板の高さ方向分布に加算して、補正するZマップ補正部54と、補正されたZマップを用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算するZ補正部60と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に電子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部62と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、
前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記位置依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、
補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01J 37/305
, H01J 37/147
H01L21/30 541D
, H01J37/305 B
, H01J37/147 C
5C033GG05
, 5C034BB04
, 5F056AA04
, 5F056BA08
, 5F056BA10
, 5F056BB10
, 5F056CB13
, 5F056CB14
, 5F056CC04
