特許
J-GLOBAL ID：201403057874626667

半導体装置及びその製造方法

発明者：
斎藤 達朗

斎藤 達朗 について

, 
和田 真

和田 真 について

, 
磯林 厚伸

磯林 厚伸 について

, 
梶田 明広

梶田 明広 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-060653
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187161
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】同一層内に、深いコンタクトと浅く微細なコンタクトが混在しても、どちらも低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の配線20の底面に接続された、深く径の太い第1のビア30はカーボンナノチューブ17で形成し、低抵抗化を図る。第1の配線と同一層に配置された第2の配線21の底面に接続された、浅く径の狭い第2のビア40は金属で形成し、低抵抗化を図る。深い配線と浅い配線との境界は、カーボンナノチューブのバリスティック長によって決める。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の配線と、 前記第1の配線と同一層に配置された第2の配線と、 前記第1の配線の底面に接続され、カーボンナノチューブで形成された第1のビアと、 前記第2の配線の底面に接続され、金属で形成された第2のビアと、 を具備し、 前記第1のビアは、前記第2のビアより長く、前記第2のビアより太く、 前記第1のビアは、周辺回路領域に形成され、 前記第2のビアは、メモリセル領域に形成され、 前記第1のビアは、ビアホールの底面及び側面に形成された下地層と、前記ビアホールの前記底面及び前記側面の前記下地層上に形成された触媒層と、前記触媒層から伸びて前記ビアホールを埋め込む前記カーボンナノチューブと、を有し、 前記触媒層は、分散状態となった不連続膜である、半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  C01B 31/02
FI (5件)：
H01L21/90 B ,  H01L21/28 301Z ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 621 ,  C01B31/02 101F
Fターム (87件)：
4G146AA11 ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN08 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ38 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033VV16 ,  5F033WW01 ,  5F033XX08 ,  5F083AD21 ,  5F083GA02 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA20 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40 ,  5F083PR41 ,  5F083ZA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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