特許

J-GLOBAL ID：200903020136338796

電子デバイス及びその製造方法

発明者： 二瓶 瑞久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 川上 光治 ,  田中 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-095368
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258187
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。【解決手段】基板1上の第1絶縁膜2上に導電パターン5を形成する工程と、第1絶縁膜2と導電パターン5を覆う第2絶縁膜7を形成する工程と、第2絶縁膜7のうち導電パターン5の上にホール7aを形成する工程と、少なくともホール7a内の底面と第2絶縁膜7の上面に金属膜9を形成する工程と、金属膜9の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面10を形成する工程と、触媒面10から炭素元素円筒型構造体11の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束10の間隙に埋込膜12を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束11及び埋込膜12及び金属膜9を研磨して第2絶縁膜7の上面から除去するとともに、埋込膜12及び炭素元素円筒型構造体の束11をホール7a内に残してビア13を形成する工程とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上の第1絶縁膜上に導電パターンを形成する工程と、 前記第1絶縁膜と前記導電パターンを覆う第2絶縁膜を形成する工程と、 前記第2絶縁膜のうち前記導電パターンの上にホールを形成する工程と、 少なくとも前記ホール内の底面と前記第2絶縁膜の上面に触媒担持膜を形成する工程と、 前記触媒担持膜の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面を形成する工程と、 前記触媒面から炭素元素円筒型構造体の束を成長する工程と、 前記炭素元素円筒型構造体の束の間隙に埋込膜を形成する工程と、 前記炭素元素円筒型構造体の束及び前記埋込膜及び前記触媒担持膜を研磨して前記第2絶縁膜の上面から除去するとともに、前記埋込膜及び前記炭素元素円筒型構造体の束を前記ホール内に残してビアを形成する工程と を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  C01B 31/02

FI (3件)：

H01L21/88 M ,  H01L21/90 A ,  C01B31/02 101F

Fターム (75件)：

4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  5F033HH00 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ22 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP19 ,  5F033PP20 ,  5F033PP22 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-304667   出願人：富士通株式会社
• ナノチューブ配線を備えた電子デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-012375   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

• 炭素元素円筒型構造体へのオーミック接続構造及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078353   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-090421   出願人：株式会社東芝