特許
J-GLOBAL ID：201003054337568024

半導体装置の製造方法

発明者：
射場 義久

射場 義久 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 川上 光治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-029768
公開番号（公開出願番号）：特開2010-186858
出願日： 2009年02月12日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：
【課題】絶縁膜上とホール内に形成したカーボンナノチューブを絶縁膜に損傷を与えることなく絶縁膜上から除去すること。【解決手段】配線15a上方に絶縁膜17、18を形成し、絶縁膜17、18をパターニングして配線15aに達するホール17aを形成し、ホール17a内と絶縁膜17、18上面にカーボンナノチューブ22を形成し、カーボンナノチューブ22の層の上に第2絶縁膜23を形成し、第2絶縁膜23をエッチングすることによりカーボンナノチューブ22を露出するとともに、カーボンナノチューブ22の層の凹部に第2絶縁膜23を残し、カーボンナノチューブ22をエッチングしてカーボンナノチューブ22の上端の位置を揃え、さらにカーボンナノチューブ22上の第2絶縁膜23をエッチングし、カーボンナノチューブ22をエッチングして絶縁膜17上面から除去するとともにホール17a内に残す工程を含む。【選択図】図2G
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に第1配線を形成する工程と、 前記第1配線の上方に第1絶縁膜を形成する工程と、 前記第1絶縁膜をパターニングし、前記第1配線に達するホールを形成する工程と、 前記ホール内と前記第1絶縁膜上面にカーボンナノチューブ層を形成する工程と、 前記カーボンナノチューブ層の上に第2絶縁膜を形成する工程と、 前記第2絶縁膜をエッチングすることにより前記カーボンナノチューブ層を露出するとともに、前記カーボンナノチューブ層の凹部に前記第2絶縁膜を残す工程と、 前記カーボンナノチューブ層をエッチングし、前記カーボンナノチューブ層の上端の位置を揃える工程と、 前記カーボンナノチューブ層上の前記第2絶縁膜をエッチングする工程と、 前記カーボンナノチューブ層をエッチングし、前記第1絶縁膜の上面から除去するとともに前記ホール内に残す工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/302 104C
Fターム (67件)：
5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004EA22 ,  5F004EA27 ,  5F004EA28 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033RR27 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV00 ,  5F033VV06 ,  5F033WW05
引用特許：
審査官引用 (10件)
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