特許

J-GLOBAL ID：201403058154956399

半導体装置およびその制御方法

発明者： 寺井 真之
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-034839
公開番号（公開出願番号）：特開2014-165329
出願日： 2013年02月25日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：

【課題】抵抗変化素子における読み出し不良を抑制する。【解決手段】選択トランジスタTR1と、選択トランジスタTR1を介してビット線に接続する抵抗変化素子RR1と、を有するメモリセルMC1を備える。抵抗変化素子RR1は、第1金属材料を含有し、かつ選択トランジスタTR1に接続する第1電極FE1と、第1金属材料と異なる第2金属材料を含有する第2電極SE1と、第1電極FE1と第2電極SE1との間に設けられ、第1金属材料および第2金属材料とは異なる第3金属材料を含有し、かつ酸素を含有する絶縁膜IF1と、を有している。第2金属材料は、第1金属材料よりも規格化酸化物生成エネルギーが大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

選択トランジスタと、前記選択トランジスタを介してビット線に接続する抵抗変化素子と、を有するメモリセルを備え、 前記抵抗変化素子は、 第1金属材料を含有し、かつ前記選択トランジスタに接続する第1電極と、 前記第1金属材料と異なる第2金属材料を含有する第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記第1金属材料および前記第2金属材料とは異なる第3金属材料を含有し、かつ酸素を含有する絶縁膜と、 を有しており、 前記第2金属材料は、前記第1金属材料よりも規格化酸化物生成エネルギーが大きい半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L27/10 461 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (17件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 抵抗変化型不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-177366   出願人：パナソニック株式会社
• 半導体装置および半導体装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-237272   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社