特許
J-GLOBAL ID：201003056815137762

抵抗変化型不揮発性記憶装置

発明者：
河合 賢

河合 賢 について

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島川 一彦

島川 一彦 について

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東 亮太郎

東 亮太郎 について

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神澤 好彦

神澤 好彦 について

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白濱 政則

白濱 政則 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-177366
公開番号（公開出願番号）：特開2010-015662
出願日： 2008年07月07日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】抵抗変化素子に対して最適な読み出し電圧を印加可能とする抵抗変化型不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】下部電極309aと上部電極309cと両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に変化する抵抗変化層309bとからなる抵抗変化素子309と、トランジスタ317とを直列に接続してなるメモリセル300を備え、抵抗変化層309bは酸素不足型の遷移金属の酸化物層からなり、下部電極309aと上部電極309cは、異なる元素からなる材料によって構成され、下部電極309aの標準電極電位V1と上部電極309cの標準電極電位V2と前記遷移金属の標準電極電位VtとがVt<V2かつV1<V2なる関係を満足し、図外の読み出し回路は電圧クランプ回路を介して下部電極309aを基準として上部電極309cが正になる読み出し電圧を印加する。【選択図】図22
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記第1電極と前記第2電極と接するように設けられており、前記第1電極と前記第2電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層からなる不揮発性記憶素子と、 前記不揮発性記憶素子に電圧を印加することにより前記不揮発性記憶素子の抵抗の状態を読み出す読み出し回路と を備え、 前記抵抗変化層は酸素不足型のタンタルの酸化物層を含み、 前記第1電極の標準電極電位V1と、前記第2電極の標準電極電位V2と、前記タンタルの標準電極電位Vtとが、Vt<V2かつV1<V2を満足し、 前記読み出し回路は、 前記不揮発性記憶素子に対して、前記第1電極を基準として前記第2電極が正になる電圧を印加し、 前記印加する電圧の最大値を制限するクランプ回路と、 前記クランプ回路と直列に接続され、前記印加する電圧により前記不揮発性記憶素子に流れる電流を測定するセンスアンプ回路とを含む ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 13/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (6件)：
G11C13/00 A ,  H01L27/10 451 ,  H01L27/10 481 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L45/00 A
Fターム (15件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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