特許
J-GLOBAL ID：201403060469018944

太陽電池およびその製造方法

発明者：
小森 知行

小森 知行 について

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藤井 映志

藤井 映志 について

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伊藤 彰宏

伊藤 彰宏 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  藤井 兼太郎 ,  寺内 伊久郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-547417
公開番号（公開出願番号）：特表2014-519696
出願日： 2012年05月22日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
要約：
太陽電池であって、n型半導体層、p型半導体層、p側電極層、n側電極層、およびZnO透明電極層を具備する。ここでn側電極層は、AgxAu1-xからなり、xは0.1以上0.5以下の値を表す。ZnO透明電極層は、複数のZnO柱状粒子から構成されており、各ZnO柱状粒子は、ZnO透明電極層の法線方向に実質的に平行な長手方向を有している。長手方向に垂直にZnO柱状粒子を切断することにより現れる各ZnO柱状粒子の断面積は、n側電極層の上面からZnO透明電極層の上面に向けて増加している。
請求項（抜粋）：
太陽電池であって、以下を具備する: n型半導体層 p型半導体層 p側電極層 n側電極層、および ZnO透明電極層、ここで 前記n型半導体層は前記p型半導体層に接しており、 前記p型半導体層は、前記p側電極層および前記n型半導体層の間に挟まれており、 前記n型半導体層は、前記n側電極層および前記p型半導体層の間に挟まれており、 前記n側電極層は、前記n型半導体層の上面の一部を被覆しており、 前記n側電極層は、AgxAu1-xからなり、 xは0.1以上0.5以下の値を表し、 前記ZnO透明電極層は、前記n側電極層の上面に形成されており、 前記ZnO透明電極層は、複数のZnO柱状粒子から構成されており、 前記各ZnO柱状粒子は、前記ZnO透明電極層の法線方向に実質的に平行な長手方向を有しており、そして 前記長手方向に垂直に前記ZnO柱状粒子を切断することにより現れる各前記ZnO柱状粒子の断面積は、前記n側電極層の上面から前記ZnO透明電極層の上面に向けて増加している。
IPC (3件)：
H01L 31/022 ,  H01L 31/073 ,  H01L 31/053
FI (3件)：
H01L31/04 266 ,  H01L31/06 430 ,  H01L31/04 610
Fターム (5件)：
5F151AA08 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA17 ,  5F151JA22
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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