特許
J-GLOBAL ID：200903083535823039

光起電力素子および光起電力素子モジュール

発明者：
狩谷 俊光

狩谷 俊光 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322802
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220154
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【目的】 光電変換効率、開放電圧、短絡光電流、低照度開放電圧、リーク電流といった光導電特性が顕著に改善された光起電力素子を提供する。【構成】 基体上に、裏面反射層、透明導電層、水素を含有する非単結晶シリコン系材料からなり少なくともひとつの半導体接合を有する半導体層、金属酸化物からなる上部透明電極を順次積層し、該上部透明電極の上に集電電極を具備して構成される光起電力素子において、該透明導電層は酸化亜鉛からなり、かつ光入射側表面の断面形状が曲率半径300Å乃至6μmで曲率中心からの仰角が30度以上155度以下の円弧を複数連結して構成された領域を、断面領域の全体に対して80%以上含有することを特徴とする光起電力素子。
請求項（抜粋）：
基体上に、裏面反射層、透明導電層、水素を含有する非単結晶シリコン系材料からなり少なくともひとつの半導体接合を有する半導体層、金属酸化物からなる上部透明電極を順次積層し、該上部透明電極の上に集電電極を具備して構成される光起電力素子において、該透明導電層は酸化亜鉛からなり、かつ光入射側表面の断面形状が曲率半径300Å以上、6μm以下で曲率中心からの仰角が30度以上155度以下の円弧を複数連結して構成された領域を、断面領域の全体に対して80%以上含有することを特徴とする光起電力素子。
引用特許：
審査官引用 (7件)
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