特許
J-GLOBAL ID：201403061243861122

磁界検出装置、電流検出装置、半導体集積回路、および、磁界検出方法

発明者：
長永 隆志

長永 隆志 について

, 
古川 泰助

古川 泰助 について

, 
大路 浩

大路 浩 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (7件)： 曾我 道治 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  上田 俊一 ,  吉田 潤一郎 ,  飯野 智史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-019835
公開番号（公開出願番号）：特開2014-153053
出願日： 2013年02月04日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】一定抵抗として用いる参照用素子を用いて、検出用素子の磁界応答性のオフセットを補正することで、磁界検出装置における0点出力の制御を容易にする。【解決手段】2個以上の検出用素子101,102と、2個以上の参照用素子111,112と、検出用素子101,102の自由層の磁化困難軸方向にバイアス磁界を印加して検出用素子の磁界応答性におけるオフセットを補正する磁界印加用配線151とを備え、参照用素子および検出用素子は磁化方向が固定された固着層と外部磁界によって磁化方向が変化する自由層とが積層された構造を有し、参照用素子111,112は、固着層の磁化方向と自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものと反平行の状態のものとを含み、検出用素子101,102は、固着層の磁化方向と自由層の無磁界における磁化方向とが異なる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
外部磁界に応じた出力信号を出力する磁界検出装置であって、 基板上に設けられた2個以上の磁界検出用磁気抵抗効果素子と、 前記基板上に設けられた2個以上の参照用磁気抵抗効果素子と、 前記磁界検出用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化困難軸方向に磁界を印加するバイアス磁界印加用配線と を備え、 前記参照用磁気抵抗効果素子および前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、それぞれ、反強磁性層と前記反強磁性層により磁化方向が固定された磁性体層とからなる固着層と、外部磁界によって磁化方向が変化する磁性体層からなる自由層とが積層された構造を有し、 前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものと反平行の状態のものとを含んでおり、 前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが異なる、 磁界検出装置。
IPC (2件)：
G01R 33/09 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
G01R33/06 R ,  H01L43/08 B ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 P
Fターム (28件)：
2G017AA01 ,  2G017AB09 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017BA09 ,  2G017CC04 ,  5F092AA14 ,  5F092AB01 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD05 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092CA14 ,  5F092CA22 ,  5F092CA26 ,  5F092EA10
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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