特許
J-GLOBAL ID：201403062740017897

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者：
日吉 透

日吉 透 について

, 
和田 圭司

和田 圭司 について

, 
増田 健良

増田 健良 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-261341
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107500
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
要約：
【課題】炭化珪素半導体装置のリーク電流を抑制する。【解決手段】炭化珪素基板10の第1〜第3の不純物領域11〜13は第1の主面P1の平坦面FT上に位置する部分を有する。ゲート絶縁膜21Gは平坦面FT上において第1および第3の不純物領域11〜13を互いにつないでいる。第1の主電極31は平坦面FT上において第3の不純物領域13に接している。第2の主電極42は第2の主面P2上に設けられている。側壁絶縁膜21Sは第1の主面P1の側壁面STを覆っている。側壁面STは{000-1}面に対して50度以上80度以下傾斜している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体素子が設けられている素子部と、前記素子部を取り囲んでいる終端部とを有する炭化珪素半導体装置であって、 六方晶系の単結晶構造を有する炭化珪素から作られた炭化珪素基板を備え、前記炭化珪素基板は第1の主面および前記第1の主面と反対の第2の主面を有し、前記第1の主面は、前記素子部に位置する平坦面と、前記終端部に位置し、かつ前記平坦面を取り囲み、かつ前記第2の主面に近づくように前記平坦面に対して傾斜した側壁面とを有し、前記炭化珪素基板は、第1の導電型を有する第1の不純物領域と、前記第1の不純物領域上に設けられ第2の導電型を有する第2の不純物領域と、前記第2の不純物領域上に設けられ前記第2の不純物領域によって前記第1の不純物領域から隔てられた第3の不純物領域とを含み、前記第1〜第3の不純物領域の各々は前記平坦面上に位置する部分を有し、さらに 前記第1の主面の前記平坦面上において前記第1および第3の不純物領域を互いにつなぐゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、 前記第1の主面の前記平坦面上において前記第3の不純物領域に接する第1の主電極と、 前記第2の主面上に設けられた第2の主電極と、 前記第1の主面の前記側壁面を覆う側壁絶縁膜とを備え、前記側壁面は{000-1}面に対して50度以上80度以下傾斜している、炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/06 301G
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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