特許
J-GLOBAL ID：200903068749657927

半導体装置

発明者：
藤澤 広幸

藤澤 広幸 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-081267
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258465
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】半導体装置の高耐圧化および高速動作を実現すること。【解決手段】炭化珪素からなる{11-20}面を主面とするn+型炭化珪素基板1と、n+型炭化珪素基板1の上に形成されたn+ソース領域6と、n+ソース領域6の表面から形成されたトレンチ8と、酸化速度が異なるトレンチ8の複数の側壁に形成されたゲート酸化膜9と、を備え、複数の側壁によって形成される複数のコーナー部のうち、複数の側壁よりも酸化速度の遅い面を有するコーナー部からトレンチ8の中心までの距離が、他のコーナー部からトレンチ8の中心までの距離よりも長くなっている。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる{11-20}面を主面とする半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成された半導体領域と、 前記半導体領域の表面から形成されたトレンチと、 酸化速度が異なる前記トレンチの複数の側壁に形成された酸化膜と、を備え、 前記複数の側壁によって形成される複数のコーナー部のうち、前記複数の側壁よりも酸化速度の遅い面を有するコーナー部から前記トレンチの中心までの距離が、前記コーナー部につながる2つの側壁の延長線の交点から前記トレンチの中心までの距離よりも長いことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (5件)：
H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G
Fターム (8件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-120688   出願人：株式会社デンソー
  • MOSデバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060383   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
審査官引用 (9件)
  • 電界効果トランジスタ及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216930   出願人：株式会社日立製作所
  • 炭化珪素半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229485   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
  • 炭化珪素半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-009625   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
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