特許
J-GLOBAL ID：201403063067772935

垂直型発光素子

発明者：
張 峻豪

張 峻豪 について

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文 用泰

文 用泰 について


出願人/特許権者：
エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド について

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エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (5件)： 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  市川 英彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-127702
公開番号（公開出願番号）：特開2012-212896
特許番号：特許第5475833号
出願日： 2012年06月05日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 支持層と、 前記支持層上に位置する第1電極と、 前記第1電極上に位置する複数の半導体層であって、前記第1電極上に位置するp型GaN層と、前記p型GaN層上に位置する発光層と、前記発光層上に位置するn型GaN層と、を含む複数の半導体層と、 前記n型GaN層上に位置し、周期的に配列された複数のホールによって形成される光結晶層と、 前記光結晶層上に位置する第2電極と、 を備える、垂直型発光素子。
IPC (6件)：
H01L 33/10 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 33/42 ( 201 0.01) ,  H01L 33/06 ( 201 0.01) ,  H01L 33/38 ( 201 0.01) ,  H01L 33/22 ( 201 0.01)
FI (6件)：
H01L 33/00 130 ,  H01L 33/00 186 ,  H01L 33/00 222 ,  H01L 33/00 112 ,  H01L 33/00 210 ,  H01L 33/00 172
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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