圧電体薄膜付き基板の製造方法、及び圧電体薄膜素子の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：平田忠雄 , 角田賢二 , 岩永勇二 , 中村恵子 , 遠藤和光 , 野見山孝 , 伊藤浩行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-207084
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063825
特許番号：特許第5553099号
出願日： 2012年09月20日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に、組成式(K1-xNax)NbO3(0.4≦x≦0.730)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を形成する工程と、前記圧電体薄膜上に有機レジストマスクを形成し、フッ酸と、塩酸又は硫酸とを含むエッチング液を用いて前記圧電体薄膜にウェットエッチングを施す工程と、を含み、前記エッチング液における、フッ化水素と水の質量の合計に対するフッ化水素の質量の割合は15質量%以上35質量%未満である、圧電体薄膜付き基板の製造方法。

IPC (2件)：