特許
J-GLOBAL ID：201403065265558330
フラッシュメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
, 丸山 温道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-190121
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049151
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：
【課題】プログラミング中に、プログラム電流が一定の基準電流に追従できるようにプログラム電圧を動的に制御する。【解決手段】メモリセル(12)と、電流制限器(16)と、プログラム電圧発生器(18)とを含み、メモリセル(12)は、プログラム電流(Ipgm)およびプログラム電圧(Vzcl)に応答してプログラムされる。電流制限器(16)は、データライン信号、例えば、データライン電圧(DL)によるプログラム電流(Ipgm)の量を反映する。プログラム電圧発生器(18)は、そのプログラム電流(Ipgm)が一定の基準電流(Iref)に追従するように、データライン電圧(DL)に応答してそのプログラム電圧(Vzcl)を生成しおよび制御する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ビットラインのプログラム電流と、制御ライン端子のプログラム電圧とに応動してプログラムされることが可能なpチャネル金属酸化膜半導体(PMOS)メモリセルと、
データライン端子のデータライン信号によって前記プログラム電流の量を反映するために、および基準電流を受けるために、前記ビットラインに結合された電流制限器と、
前記プログラム電流が前記基準電流に追従するように、前記データライン信号に応答して前記プログラム電圧を生成するために、前記制御ライン端子およびデータライン端子に結合されたプログラム電圧発生器と、
を備えるフラッシュメモリ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 634F
, G11C17/00 632C
, G11C17/00 623A
5B125BA05
, 5B125CA16
, 5B125DB12
, 5B125ED05
, 5B125EG12
, 5B125EG13
, 5B125FA02
審査官引用 (5件)
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半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-184928
出願人：松下電器産業株式会社
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不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-401031
出願人：三菱電機株式会社
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不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-209808
出願人：株式会社ルネサステクノロジ
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