特許
J-GLOBAL ID：201403066715450492
トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松尾 誠剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-286204
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127713
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：
【課題】耐圧VBRを確保しながら順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRのトレードオフを大幅に改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】メサ領域の幅Wmが1.5μm以下であり、かつ、活性領域において200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したとき、「導電体層120、誘電体層118及びメサ領域124により構成されるコンデンサC」に十分な量の電荷が充電される結果、メサ領域124に存在する総キャリア量Qaccと、メサ領域124の不純物に起因するキャリア量Qdopとが所定の関係式を満たすことを特徴とするトレンチショットキバリアダイオード100。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型不純物を高濃度で含有する第1半導体層及び前記第1半導体層よりも第1導電型不純物を低濃度で含有する第2半導体層を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第1主面側に形成されトレンチ内に誘電体層を介して導電体層が埋め込まれた構造を有する複数のトレンチ領域と、
前記複数のトレンチ領域が設けられていない部分に設けられたメサ領域と、
前記半導体基板の第1主面上に設けられ前記メサ領域との間でショットキ接合を形成するバリア金属層とを備えるトレンチショットキバリアダイオードであって、
前記メサ領域の幅Wmが1.5μm以下であり、かつ、
活性領域において200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したとき、「前記導電体層、前記誘電体層及び前記メサ領域により構成されるコンデンサ」に十分な量の電荷が充電される結果、前記メサ領域に存在する総キャリア量Qaccと、前記メサ領域の不純物に起因するキャリア量Qdopとが以下の関係式(1)〜(3)のいずれかを満たすことを特徴とするトレンチショットキバリアダイオード。
(1)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が100V以上である場合
Qacc/Qdop≧2.0
(2)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が60V以上100V未満の場合
Qacc/Qdop≧1.5
(3)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が40V以上60V未満の場合
Qacc/Qdop≧1.25
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104BB01
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC03
, 4M104DD06
, 4M104DD43
, 4M104DD75
, 4M104EE02
, 4M104EE16
, 4M104FF02
, 4M104FF04
, 4M104FF06
, 4M104FF13
, 4M104GG03
, 4M104GG18
, 4M104HH20
