特許
J-GLOBAL ID：200903039307964871

トレンチショットキー整流器

発明者：
フシエフ、フュー-イウアン

フシエフ、フュー-イウアン について

, 
ソー、クーン、チョング

ソー、クーン、チョング について


出願人/特許権者：
ゼネラル セミコンダクター,インク.

ゼネラル セミコンダクター,インク. について


代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-502893
公開番号（公開出願番号）：特表2004-529506
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
ショットキー整流器を提供する。ショットキー整流器は、(a)互いに反対面となる第1及び第2の面12a、12bと、第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域12cと、第2の面に隣接し、カソード領域よりドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域12dとを有する半導体領域と、(b)第2の面12bから半導体領域内に延び、半導体領域内に1つ以上のメサ14を画定する1つ以上のトレンチと、(c)トレンチの下部に設けられ、半導体領域に隣接する絶縁領域16と、(d)(1)第2の面12bにおいて、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(2)トレンチの上部において、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(3)トレンチの下部において、絶縁領域に隣接するアノード電極18とを備える。
請求項（抜粋）：
互いに反対面となる第1及び第2の面と、上記第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域と、上記第2の面に隣接し、上記カソード領域より正味ドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域とを有する半導体領域と、 上記第2の面から上記半導体領域内に延び、該半導体領域内に1つ以上のメサを画定する1つ以上のトレンチと、 上記1つ以上のトレンチ内の上記半導体領域に隣接し、該半導体領域に接する熱成長絶縁層と、該熱成長絶縁層上に蒸着された蒸着成長絶縁層とを有する絶縁領域と、 (a)上記第2の面において、上記半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(b)上記トレンチにおいて、上記絶縁領域に隣接するアノード電極とを備えるショットキー整流器。
IPC (2件)：
H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 P
Fターム (9件)：
4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC03 ,  4M104EE10 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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