特許
J-GLOBAL ID：201203089370969681

半導体装置

発明者：
大田 剛志

大田 剛志 について

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新井 雅俊

新井 雅俊 について

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鈴木 誠和子

鈴木 誠和子 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-067475
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204579
出願日： 2011年03月25日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：
【課題】リーク電流を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】一態様に係る半導体装置は、第1導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第1半導体拡散層、及びアノード電極を有する。半導体層は、半導体基板上に形成され第1の不純物濃度よりも小さい第2の不純物濃度を有する。複数のトレンチは、半導体層の上面から下方に延びるように半導体層中に形成されている。導電層は、絶縁層を介してトレンチを埋めるように形成され且つ半導体層の上面から第1の位置まで下方に延びる。第1半導体拡散層は、複数のトレンチの間に位置する半導体層の上面から第2の位置に達し且つ第2の不純物濃度より小さい第3の不純物濃度を有する。アノード電極は、第1半導体拡散層とショットキー接合されている。半導体層の上面から第2の位置までの長さは、半導体層の上面から第1の位置までの長さの1/2以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
カソード電極と、 前記カソード電極と電気的に接続されると共に第1の不純物濃度を有する第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上に形成され前記第1の不純物濃度よりも小さい第2の不純物濃度を有する第1導電型の半導体層と、 前記半導体層の上面から下方に延びるように前記半導体層中に形成された複数のトレンチと、 前記トレンチの内壁に沿って形成された絶縁層と、 前記絶縁層を介して前記トレンチを埋めるように形成され且つ前記半導体層の上面から第1の位置まで下方に延びる導電層と、 前記複数のトレンチの間に位置する前記半導体層の上面から第2の位置に達し且つ前記第2の不純物濃度より小さい第3の不純物濃度を有する第1半導体拡散層と、 前記第1半導体拡散層及び前記導電層の上面に形成され且つ前記第1半導体拡散層とショットキー接合されたアノード電極とを備え、 前記半導体層の上面から前記第2の位置までの長さは、前記半導体層の上面から前記第1の位置までの長さの1/2以下である ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (1件)：
H01L29/48 F
Fターム (11件)：
4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB40 ,  4M104DD57 ,  4M104EE15 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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