特許

J-GLOBAL ID：201403066745320984

窒化物半導体ウェハ

発明者： 土屋 忠厳
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (7件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-193047
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049674
出願日： 2012年09月03日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：

【課題】オン抵抗特性及びバッファリーク特性に優れるデバイスの製造に用いることができる、ヘテロ接合を含むバッファ層を有する窒化物半導体ウェハを提供する。【解決手段】本発明の一態様において、基板11と、AlxGa1-xN層13a(0≦x≦0.05)と、AlyGa1-yN層13b(0<y≦1、かつx<y)との交互層を含む、基板11上のバッファ層13と、を有し、交互層において、AlyGa1-yN層13bのみがアクセプタを含む、窒化物半導体ウェハ1を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 AlxGa1-xN層(0≦x≦0.05)と、AlyGa1-yN層(0<y≦1、かつx<y)との交互層を含む、前記基板上のバッファ層と、 を有し、 前記交互層において、前記AlyGa1-yN層のみがアクセプタを含む、 窒化物半導体ウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (34件)：

5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA60 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体装置及び窒化物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-144298   出願人：パナソニック株式会社
• 半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-069149   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-097085   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-077541   出願人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped AlGa