特許
J-GLOBAL ID：201403066865240780
パターン構造体の製造方法およびパターン形成用基材
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
米田 潤三
, 皿田 秀夫
, 太田 昌孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-145240
公開番号（公開出願番号）：特開2014-008631
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】微細なパターンを有するパターン構造体を高い精度で製造するための製造方法と、このような製造方法に使用できるパターン形成用基材を提供する。【解決手段】インプリントモールド用の基材の所望の面に画定したパターン形成領域にハードマスク材料層を形成し、非パターン形成領域にエッチング安定化層を形成する工程と、ハードマスク材料層にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを介してハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成する工程と、形成したハードマスクを介して基材をエッチングしてパターン形成領域に凹凸構造を形成する工程と、を備えるようにした。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基材の電気絶縁性を具備する面にパターン形成領域と非パターン形成領域を画定し、パターン形成領域にハードマスク材料層を形成し、非パターン形成領域にエッチング安定化層を形成する工程と、
前記ハードマスク材料層にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記パターン形成領域に凹凸構造を形成する工程と、を備え、
少なくとも前記ハードマスクの形成が完了するまで前記基材の前記非パターン形成領域が露出しないような厚みで前記エッチング安定化層を形成することを特徴とするパターン構造体の製造方法。
IPC (3件)：
B29C 33/38
, B29C 59/02
, H01L 21/027
B29C33/38
, B29C59/02 B
, H01L21/30 502D
4F202AA44
, 4F202AF01
, 4F202AG05
, 4F202AH33
, 4F202AJ02
, 4F202AJ06
, 4F202AJ09
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CB29
, 4F202CD01
, 4F202CD24
, 4F202CD30
, 4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AJ02
, 4F209AJ06
, 4F209AJ09
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PN06
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5F146AA32
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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