特許
J-GLOBAL ID：201203061951803880
インプリント用モールドの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-239064
公開番号（公開出願番号）：特開2012-093455
出願日： 2010年10月25日
公開日（公表日）： 2012年05月17日
要約：
【課題】インプリント用モールドの製造において微細なモールドパターンを高いパターン精度で形成することができ、しかも基板をエッチング加工するために形成した薄膜パターンを最終的にモールドパターンにダメージを与えないように除去できるインプリント用モールドの製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板1上に、ハフニウムおよびジルコニウムのうちの少なくとも一方の元素を含有する材料で形成された下層3と、該下層の酸化を抑制する材料で形成された上層4の積層膜からなる薄膜を有するマスクブランクを用いて、前記薄膜をエッチング加工して薄膜のパターンを形成する工程と、該薄膜のパターンをマスクとして透光性基板1をエッチング加工してモールドパターンを形成する工程と、該モールドパターンを形成した後、薄膜の下層を、塩素、臭素、ヨウ素、およびキセノンのうちいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去する工程とを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクを用いるインプリント用モールドの製造方法であって、
前記薄膜は、前記透光性基板の表面に接して形成されており、少なくとも上層および下層の積層膜からなり、
前記下層は、ハフニウム(Hf)およびジルコニウム(Zr)のうちの少なくとも一方の元素を含有する材料で形成され、
前記上層は、前記下層の酸化を抑制する材料で形成され、
前記薄膜をエッチング加工して前記薄膜のパターンを形成する工程と、
該薄膜のパターンをマスクとして前記透光性基板をエッチング加工してモールドパターンを形成する工程と、
該モールドパターンを形成した後、前記薄膜の下層を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去する工程と、
を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
IPC (4件)：
G03F 7/20
, H01L 21/027
, B29C 33/38
, B29C 59/02
G03F7/20 501
, H01L21/30 502D
, B29C33/38
, B29C59/02 B
2H097AA03
, 2H097CA16
, 2H097LA15
, 4F202AF01
, 4F202AG05
, 4F202AH33
, 4F202AH36
, 4F202AJ02
, 4F202AJ06
, 4F202AJ09
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CB29
, 4F202CD02
, 4F202CD07
, 4F202CD22
, 4F202CD23
, 4F202CD24
, 4F209AJ02
, 4F209AJ08
, 4F209AJ09
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PN06
, 4F209PQ11
, 5F046AA28
, 5F146AA28
