特許
J-GLOBAL ID：201403067170463784
炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-178242
公開番号（公開出願番号）：特開2014-034508
出願日： 2012年08月10日
公開日（公表日）： 2014年02月24日
要約：
【課題】支持シャフトの熱膨張などによらずに、成長結晶の成長量を正確に把握することが可能SiC単結晶の製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】台座9の上に例えば高融点金属炭化物にて構成される台座マーカ9aを設ける。これにより、X線観察時に台座マーカ9aを基準点として、基準点からSiC単結晶20の成長表面までの距離を算出することで、SiC単結晶20の成長量を算出できる。したがって、従来と比較して、SiC単結晶20の成長量をより正確に把握することが可能となる。そして、このようにSiC単結晶20の成長量を正確に把握しながら、SiC単結晶20を成長させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応室を構成する中空形状の坩堝としての加熱容器(8)と、
前記加熱容器内に配置された台座(9)と、
前記加熱容器を加熱する加熱装置(12、13)と、
前記台座に連結される支持シャフト(11a)を有し、該支持シャフトを介して前記台座を上方に引上げる引上機構(11)とを備え、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記加熱装置にて前記台座の周囲を加熱しつつ前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3a)を供給することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、
前記台座を挟んで水平方向において対向する位置に配置されたX線発生源(14)およびX線カメラ(15)と、
前記台座もしくは前記支持シャフトにおける前記台座との連結部のうち、前記種結晶が設置される表面から所定距離の位置に配置され、X線透過率が前記台座と異なる材質で構成された台座マーカ(9a)と、を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA01
, 4G077EH01
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TA08
