特許
J-GLOBAL ID：200903076112009258

炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置

発明者：
木藤 泰男

木藤 泰男 について

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杉山 尚宏

杉山 尚宏 について

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永久保 雅夫

永久保 雅夫 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-005727
公開番号（公開出願番号）：特開2008-169098
出願日： 2007年01月15日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】成長した単結晶自体による種結晶の相対移動の阻害およびすりあわせ部での結晶析出による種結晶の相対移動の阻害を抑制する。【解決手段】円筒形状のヒータ部材6の内部に、台座7aとガイド部材7bとを有する円筒状の結晶成長容器7を配置する。このとき、供給された原料ガスが結晶成長容器7とヒータ部材6との間を通過しないように、結晶成長容器7の一部14をヒータ部材6の内壁に接触させておく。そして、原料ガスから炭化珪素単結晶が析出する温度で発熱する結晶成長温度領域6aと、炭化珪素単結晶が析出する上限温度よりも高い温度で発熱する結晶未成長温度領域6bとを有するように、ヒータ部材6を発熱させる。この状態で、結晶成長容器7の一部14がヒータ部材6の結晶未成長温度領域6bと接触した状態を維持するように一部14をすり動かしながら、結晶成長容器7を引き上げて、種結晶12上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶基板で構成された種結晶に向けて原料ガスを供給し、前記種結晶を原料ガス供給側から離れる方向に相対移動させながら、前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、 内部が中空である筒形状であって、発熱してその内部を加熱するヒータ部材(6)と、 前記種結晶が設置される台座(7a)と、前記種結晶から炭化珪素単結晶が成長する空間を取り囲む筒状のガイド部材(7b)とを有し、前記台座側が閉塞され、前記台座が位置する側とは反対側が開口した筒状の結晶成長容器(7)とを用い、 前記ヒータ部材の内部に前記結晶成長容器を配置するとともに、供給された原料ガスが前記結晶成長容器と前記ヒータ部材との間を通過しないように、前記結晶成長容器の一部(14)を前記ヒータ部材の内壁に接触させておき、 前記ヒータ部材の前記種結晶側に、原料ガスから炭化珪素単結晶が析出する温度で発熱する結晶成長温度領域(6a)が位置し、前記ヒータ部材の原料ガス供給側に、原料ガスから炭化珪素単結晶が析出する上限温度よりも高い温度で発熱する結晶未成長温度領域(6b)が位置するように、前記ヒータ部材(6)を発熱させ、 前記結晶成長容器の前記一部(14)が前記ヒータ部材の前記結晶未成長温度領域(6b)と接触した状態を維持するように前記一部をすり動かしながら、前記ヒータ部材に対して前記種結晶が原料ガス供給側から離れる方向に、前記結晶成長容器を相対移動させて、前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
C30B 29/36
FI (1件)：
C30B29/36 A
Fターム (14件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DB01 ,  4G077EG11 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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