特許
J-GLOBAL ID：201403067218294645
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-235345
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016873
特許番号：特許第5554387号
出願日： 2012年10月25日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 n型GaN層を含むn型半導体層と、
前記n型半導体層と接続されたn側電極と、
GaNのp型半導体層と、
前記p型半導体層に接するp側電極と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む複数の量子井戸層を含む発光部と、
前記発光部と前記p型半導体層との間に設けられ、0.001以上0.05以下の第1Al組成比を有するAlGaNを含み、0.5ナノメートル以上5ナノメートル以下の厚さを有する第1層と、
前記第1層と前記p型半導体層との間において前記p型半導体層に接して設けられ、0.1以上0.2以下の第2Al組成比を有するAlGaNを含む第2層と、
前記第1層と前記発光部との間において前記第1層に接して設けられ、前記複数の量子井戸層のうちで前記p型半導体層に最も近いp側量子井戸層に接し、厚さが3ナノメートル以上で8ナノメートル以下であり、Inz1Ga1-z1N(0≦z1<1)を含む中間層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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