特許

J-GLOBAL ID：201403067333524204

光学コンポーネント

発明者： アントニー・ジョン・ベネット ,  アンドリュー・ジェームズ・シールズ ,  ジョアンナ・クリスティナ・スキバ-スジマンスカ
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (14件)： 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  野河 信久 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-114926
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256883
特許番号：特許第5596080号
出願日： 2012年05月18日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の極性領域、非ドープ領域、及び第2の極性領域によって形成され、凸状の外面を有する固体反射体であって、前記第1の極性領域、前記非ドープ領域、及び前記第2の極性領域は、この順番で、当該固体反射体の中心軸方向に対して実質的に垂直な方向に積層されている、固体反射体と、 前記非ドープ領域内に位置し、前記中心軸方向に対して45度以下の角度に向けられた双極子を備え、この双極子の遷移によって放射を出す量子ドットと、 前記量子ドットを電気的に励起するための第1の電気接触及び第2の電気接触と、前記第1の電気接触は前記第1の極性領域に接続され、前記第2の接触は前記第2の極性領域に接続される、 を具備する光学コンポーネント。

IPC (2件)：

H01L 33/06 ( 201 0.01) ,  H01L 33/10 ( 201 0.01)

FI (2件)：

H01L 33/00 112 ,  H01L 33/00 130

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単一光子発生デバイス、単一光子検出デバイス及び光量子ゲート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-063054   出願人：富士通株式会社, 国立大学法人東京大学
• 半導体基板の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-105272   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-339371   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Broadband quantum dot micro-light-emitting diodes with parabolic sidewalls