両親媒性非イオン性界面活性剤を利用したCMP法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-542717
公開番号（公開出願番号）：特表2006-502579
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

本発明は、(i)銅を含む少なくとも1つの金属層を含む基材を化学機械研磨(CMP)系と接触させる工程と、(ii)該銅を含む金属層の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程とを含む、基材を研磨する方法を提供する。このCMP系は、(a)研磨剤、(b)両親媒性非イオン性界面活性剤、(c)金属層を酸化するための手段、(d)有機酸、(e)腐食抑制剤、及び(f)液体キャリヤーを含む。本発明は、第1の金属層と第2の異なる金属層を含む基材を研磨する2工程の方法をさらに提供する。第1金属層は、研磨剤と液体キャリヤーを含む第1CMP系で研磨され、第2金属層は、(a)研磨剤、(b)両親媒性非イオン性界面活性剤、及び(c)液体キャリヤーを含む第2CMP系で研磨される。

請求項（抜粋）：

基材を研磨する方法であって、 (i)銅を含む少なくとも1つの金属層を含む基材を、 (a)100nm以上の平均一次粒子サイズを有する研磨剤、 (b)頭部基と末端基を含み、6を超えるHLB値を有する両親媒性非イオン性界面活性剤、 (c)銅を含む金属層を酸化するための手段、 (d)有機酸、 (e)腐食抑制剤、及び (f)液体キャリヤーを含む化学機械研磨系と接触させる工程と、 (ii)該銅を含む金属層の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程とを含む、基材を研磨する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14

FI (5件)：

H01L21/304 621D , H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (6件)

化学機械研磨用水系分散体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-055349 出願人：ジェイエスアール株式会社
非極性分散媒を用いた遊離砥粒研磨スラリー組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-327194 出願人：東京磁気印刷株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-348300 出願人：株式会社トクヤマ

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