特許
J-GLOBAL ID:201403067810891338
パワーモジュール用基板およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-217185
公開番号(公開出願番号):特開2014-072364
出願日: 2012年09月28日
公開日(公表日): 2014年04月21日
要約:
【課題】冷熱サイクル性に優れ、製造が容易なパワーモジュール用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウム層14に厚み0.08mm以上0.25mm以下に設定されたニッケル層15を介して銅層16を接合してなる回路層用金属板12を形成しておき、その回路層用金属板12のアルミニウム層14を、ろう材箔17を介在させてセラミックス基板11の一方の面に積層し、そのセラミックス基板11の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる放熱層用金属板13をろう材箔17を介在させて積層することにより基板積層体40を形成し、基板積層体40をその積層方向に加圧した状態で加熱することでセラミックス基板11と回路層用金属板12及び放熱層用金属板13とをろう付けする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
セラミックス基板の一方の面に、アルミニウム層、銅層、及び前記アルミニウム層と前記銅層との間にニッケル層を有し、前記ニッケル層の厚みが0.08mm以上0.25mm以下に設定された回路層用金属板を、該回路層用金属板のアルミニウム層と前記セラミックス基板の間に接合材を介在させて積層するとともに、該セラミックス基板の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる放熱層用金属板を接合材を介在させて積層した基板積層体を形成し、前記基板積層体を積層方向に加圧した状態で加熱することで前記セラミックス基板と前記回路層用金属板及び前記放熱層用金属板とを接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (5件):
H01L 23/12
, H01L 23/15
, H01L 23/373
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (4件):
H01L23/12 J
, H01L23/14 C
, H01L23/36 M
, H01L25/04 C
Fターム (12件):
5F136BB04
, 5F136BB05
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA06
, 5F136FA14
, 5F136FA16
, 5F136FA17
, 5F136FA18
, 5F136GA02
, 5F136GA12
, 5F136GA40
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開昭63-038244
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放熱用絶縁基板及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-013283
出願人:昭和電工株式会社
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半導体素子モジュール基板の積層構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-267339
出願人:株式会社クボタ, 日本ハイブリッドテクノロジーズ株式会社
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回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-225321
出願人:電気化学工業株式会社
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審査官引用 (4件)