特許

J-GLOBAL ID：201403069314407607

酸化アルミニウム薄膜の剥離法及びデバイス

発明者： 大越 昌幸 ,  井上 成美
出願人/特許権者： 防衛省技術研究本部長
代理人 (2件)： 村井 隆 ,  村井 弘実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-242135
公開番号（公開出願番号）：特開2014-093372
出願日： 2012年11月01日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
要約：

【課題】窒化ガリウム系半導体を代表とする光エレクトロニクスデバイスを薄膜化するための手法を確立する。【解決手段】波長200nm以下の光照射により、基体1上に形成されたアルミニウム薄膜2の表面を結晶性酸化アルミニウム層4に改質する。その結晶性酸化アルミニウム層4上に任意のデバイス5を形成し、未改質のアルミニウム薄膜のみを化学エッチングすることにより、極薄い酸化アルミニウム膜単体上にデバイスが形成できることになり、デバイスの著しい薄膜化が実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

波長200nm以下の光照射により、基体上に形成されたアルミニウム薄膜表面を酸化アルミニウムに改質し、未改質のアルミニウム薄膜のみを化学エッチングすることにより、極薄い酸化アルミニウム膜単体を剥離形成することを特徴とする酸化アルミニウム薄膜の剥離法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L21/20 ,  H01L33/00 186

Fターム (25件)：

5F141AA47 ,  5F141CA40 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F152BB06 ,  5F152CC02 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152EE13 ,  5F152EE14 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18 ,  5F152LL08 ,  5F152LM08 ,  5F152LN19 ,  5F152LP08 ,  5F152MM08 ,  5F152NN14 ,  5F152NP12 ,  5F152NP17 ,  5F152NP22 ,  5F152NQ01 ,  5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-150037   出願人：株式会社日立製作所, 日本オプネクスト株式会社
• 酸化層を有する窒化アルミニウム基板、窒化アルミニウム焼結体、それらの製造方法、回路基板、及びLEDモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-073890   出願人：パナソニック電工株式会社