特許
J-GLOBAL ID：201403070103520103

光電変換素子、光電変換素子アレイ及び太陽電池モジュール

発明者：
志田 陽子

志田 陽子 について

, 
水野 雅夫

水野 雅夫 について

, 
慈幸 範洋

慈幸 範洋 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について


代理人 (8件)： 天野 一規 ,  池田 義典 ,  小川 博生 ,  加藤 早苗 ,  石田 耕治 ,  各務 幸樹 ,  根木 義明 ,  新庄 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-169684
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029925
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】特定の毒性元素を用いることなく、比較的低コストで製造することができ、十分な光電変換効率を備える光電変換素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、n型半導体層とp型半導体層とを備える光電変換素子であって、上記n型半導体層がBi2S3を含有することを特徴とする。上記p型半導体層が主成分としてNiOを含有することが好ましい。上記p型半導体層がアルミニウム及びリチウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素をさらに含有するとよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層とp型半導体層とを備える光電変換素子であって、 上記n型半導体層がBi2S3を含有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
H01L 31/06 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L31/04 E ,  H01L31/10 A
Fターム (20件)：
5F049MA03 ,  5F049MB01 ,  5F049MB12 ,  5F049NA18 ,  5F049NA20 ,  5F049PA07 ,  5F049RA02 ,  5F049SE03 ,  5F049SS01 ,  5F151AA07 ,  5F151AA16 ,  5F151CB13 ,  5F151CB15 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA03 ,  5F151FA08 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 光電変換素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124340   出願人：スター精密株式会社
  • 酸化物半導体PN接合デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-278214   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
引用文献：
審査官引用 (1件)

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