特許
J-GLOBAL ID:201403070303967870

半導体素子のマーキング方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-130036
公開番号(公開出願番号):特開2013-254865
出願日: 2012年06月07日
公開日(公表日): 2013年12月19日
要約:
【課題】本発明の目的は、半導体素子ごとにマーキングする場合であっても、半導体装置を効率的に製造できる半導体素子のマーキング方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】リール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入された半導体素子をマーキングすることを特徴とする半導体素子のマーキング方法に関する。また、半導体素子をリール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入する工程1、及び前記ポケットに挿入された前記半導体素子をマーキングする工程2を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
リール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入された半導体素子をマーキングすることを特徴とする半導体素子のマーキング方法。
IPC (2件):
H01L 23/00 ,  H01L 21/60
FI (3件):
H01L23/00 A ,  H01L23/00 C ,  H01L21/60 311Q
Fターム (5件):
5F044KK02 ,  5F044KK04 ,  5F044LL01 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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