特許
J-GLOBAL ID：201403070856287797
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-212719
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003346
出願日： 2013年10月10日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：
【課題】車載用等の高い信頼性を要求されるQFN型パッケージは、リードの側面が、ほとんどリード間レジン突出部によって覆われているので、リフロー実装時に、半田フィレットが上手く形成されない。そこで、このリード間レジン突出部をパンチング金型によって機械的に除去しようとすると、パッケージ本体のクラックや端子変形を誘発する可能性が高い。これを回避するために、パンチング金型とパッケージ本体との間隔を取ると、今度は、樹脂残りが発生して、このリード間レジン突出部を完全に取り除くことができない。【解決手段】本願発明は、複数のリードの外端部を束ねるダムバーを有する多連リードフレームを用いたQFN型パッケージの半導体装置の製造方法において、モールドキャビティ外周とダムバー間に充填された封止レジンをレーザにより除去した後、半田メッキ等の表面処理を実行するものである。【選択図】図30
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)ダイパッド、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリード、および前記複数のリードのそれぞれを連結するダムバーを有するリードフレームを準備する工程;
ここで、
前記複数のリードのそれぞれは、上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記上面と前記下面との間の側面と、を有し、
前記複数のリードのそれぞれは、前記ダイパッド側に位置するインナリード部と、前記インナリード部よりも前記ダムバー側に位置するアウタリード部と、を有し、
(b)前記工程(a)の後、前記ダイパッドの上面上に半導体チップを搭載する工程;
ここで、
前記ダイパッドの前記上面は、前記リードの前記上面と同じ側の面であり、
(c)前記工程(b)の後、前記半導体チップを封止レジンにより封止することにより、前記半導体チップおよび前記複数のインナリード部を封止するレジン封止体と、前記複数のアウタリード部のうちの互いに隣り合う2つのアウタリード部と前記ダムバーと前記レジン封止体で囲まれる領域を封止するリード間レジン突出部を形成する工程;
ここで、
前記レジン封止体は、前記ダイパッドの前記上面と同じ側の上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記上面と前記下面との間の側面と、を有し、
(d)前記工程(c)の後、前記リード間レジン突出部に第1レーザ光を照射することによって、前記リード間レジン突出部を除去し、前記複数のアウタリード部のそれぞれの前記側面を露出させる工程;
(e)前記工程(d)の後、前記工程(d)により露出した前記レジン封止体の第1部分に第2レーザ光を照射することによって、前記レジン封止体の前記第1部分を除去する工程;
ここで、
前記レジン封止体の前記第1部分は、平面視において、前記2つのアウタリード部の間に位置し、かつ、前記ダムバーと対向する部分であり、
(d)前記工程(e)の後、前記レジン封止体の前記下面から露出した前記複数のインナリード部のそれぞれの前記下面、および前記レジン封止体の前記側面から突出した前記複数のアウタリード部のそれぞれの前記上面、前記下面および前記側面にメッキ層を形成する工程。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/56 D
, H01L23/50 D
, H01L23/50 R
5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB03
, 5F061DA06
, 5F061EA14
, 5F067AA01
, 5F067AA09
, 5F067AB03
