半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-223610
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060415
出願日： 2013年10月28日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：

【課題】半導体ウエハの裏面側を研削する工程において、主面側が汚染されることを抑制する。【解決手段】裏面2b側を研削する半導体ウエハ20のスクライブ領域1bの交差部に、デバイス領域1aに積層される配線層5を構成する絶縁層(第1絶縁層)3と同様に主面2a上に複数の絶縁層3を積層する。また、デバイス領域1aに形成される複数の配線層5のうち最上層に配置される配線層(最上層配線層)5cに形成された配線(最上層配線)と同層に金属パターン10を形成する。さらに、この最上層配線を覆う絶縁層(第2絶縁層)9を、金属パターン10の上面にもこれを覆うように形成する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

主面、前記主面の反対側に位置する裏面、前記主面側に形成されたデバイス領域、および前記デバイス領域周囲に配置されるスクライブ領域を有する半導体基板を有する半導体装置であって、前記デバイス領域には、前記主面に形成された複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層を覆うように形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成された最上層配線と、前記第1絶縁層上に形成され、前記最上層配線と同層の配線層で形成された複数のパッドと、前記複数の配線層と前記最上層配線とを互いに接続することで形成され、且つ、前記複数のパッドが形成された領域を取り囲むように形成された第1金属パターンと、前記最上層配線、前記複数のパッド及び前記第1金属パターンを覆うように形成され、且つ、前記複数のパッド上に複数の開口部がそれぞれ形成された第2絶縁層と、が形成されており、前記スクライブ領域には、前記主面上に形成された前記第1絶縁層と、前記最上層配線と同層の配線層で形成された第2金属パターン及び第3金属パターンと、前記第2金属パターン及び前記第3金属パターン上に形成され、前記第2絶縁層と同層の絶縁層で形成された第3絶縁層と、が形成されており、前記第1金属パターンと前記第2金属パターン及び前記第3金属パターンは、離間して形成され、前記第2金属パターン及び前記第3金属パターンは、前記半導体装置の角部に配置され、前記第3絶縁層のうち、前記第2金属パターンの上面全体を覆う部分及び前記第3金属パターンの上面全体を覆う部分は平面視において一体に形成され、前記第2金属パターン及び前記第3金属パターンの側面は、前記スクライブ領域の端部で前記第3絶縁層から露出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/301 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (4件)：

H01L21/78 L , H01L21/78 F , H01L21/88 Z , H01L21/88 S

Fターム (57件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM13 , 5F033MM21 , 5F033NN38 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ47 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033VV05 , 5F033VV07 , 5F033VV12 , 5F033XX00 , 5F033XX03 , 5F033XX07 , 5F033XX17 , 5F033XX18 , 5F033XX19 , 5F033XX21 , 5F063AA11 , 5F063AA15 , 5F063BA13 , 5F063BA20 , 5F063CA01 , 5F063CA04 , 5F063CC10 , 5F063CC31 , 5F063DD01 , 5F063DD59 , 5F063DF12 , 5F063DG05 , 5F063EE43 , 5F063EE44 , 5F063EE75

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体ウェーハと半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-035584 出願人：株式会社東芝, 東芝LSIパッケージソリューション株式会社
半導体装置および半導体チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-001959 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-155881 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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